Transistors. Page 65 sur 114. Avtronic

Transistor FJN3302R

1.74€ TTC

20 En stock

Transistor NPN FJN3302R. SI-N+R 50V 0.1A Rb=10K Rbe=10K. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92. Ft: 250MHz. Cob: 3.7pF. Constructeur: Fairchild. SAMSUNG 0504-000117. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

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Tarifs dégressifs

Transistor FJP13007

4.70€ TTC

60 En stock

Transistor NPN 700/400V 8A/16Ap 80W 4MHz hFE:8-60. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Marquage boîtier: J13007. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220. Transistor au silicium. 3-pin. Type de transistor: NPN. Vceo: 400V. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Consommation 8A. Puissance: 100W. Ic(puls): 16A. FT: 4MHz. Tf(max): 0.7 uS. VCE(sat): 1V. HFE(min):

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Tarifs dégressifs

Transistor FJP13007H1

3.81€ TTC

143 En stock

Transistor NPN 700/400V 8A/16Ap 80W 4MHz hFE:15-28. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FJP13007H1TU. Marquage boîtier: J13007-1. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220. Transistor au silicium. 3-pin. Type de transistor: NPN. Vceo: 400V. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Consommation 8A. Puissance: 100W. Ic(puls): 16A. FT: 4MHz. Tf(ma

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Tarifs dégressifs

Transistor FJP13007H2

4.54€ TTC

68 En stock

Transistor NPN 700/400V 8A/16Ap 80W 4MHz hFE:26-39. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FJP13007H2TU. Marquage boîtier: J13007-2. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220. Transistor au silicium. 3-pin. Type de transistor: NPN. Vceo: 400V. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Consommation 8A. Puissance: 100W. Ic(puls): 16A. FT: 4MHz. Tf(ma

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Tarifs dégressifs

Transistor FJP13009

5.04€ TTC

53 En stock

Transistor NPN FJP13009 700/400V 12A/24App 100W 1.1uS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. High Voltage Fast-Switching. High-Sw 1.1uS. Constructeur: FAI. TO-220. VEBO: 9V. Tension collecteur/base maxi: 700 V

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Tarifs dégressifs

Transistor FJP13009H2

3.70€ TTC

43 En stock

Transistor NPN FJP13009H2 700/400V 12A/24App 100W 1.1uS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. High Voltage Fast-Switching. High-Sw 1.1uS. Constructeur: FAI. TO-220. VEBO: 9V. Hfe:15-25. Tension collecteur/base maxi: 700 V

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Tarifs dégressifs

Transistor FMMT720

1.96€ TTC

375 En stock

Transistor PNP FMMT720 40V 1.5A 625mW 190MHz CMS. Vce maxi: 40 V. Courant collecteur maxi: 1.5 A. Boîtier: CMS SOT-23. SWITCHING TRANSISTOR. Constructeur: DIODES INC.. Marquage CMS: 720.

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Tarifs dégressifs

Transistor FMY4T148

7.95€ TTC

1 En stock

Transistor FMY4T148 N&P-MOS DUAL 60V 300mW CMS. CMS SMT5. Constructeur: ROHM. Marquage CMS:Y4

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Tarifs dégressifs

Transistor FN1016

12.32€ TTC

30 En stock

Transistor NPN FN1016 DARL+D 160V 8A 70W 80MHz. Vce maxi: 160 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-3PF. hFE: 5000. Constructeur: SKN. Paire: FP1016. Fréquence maxi: 80 MHz. Darlington. Puissance: 70 W

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Tarifs dégressifs

Paire de transistors NPN-PNP FN1016-FP1016

22.62€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Paire de transistors NPN-PNP. Darlington. Diode de roue-libre intégrée 160V 8A 70W. Paire complémentaire

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Tarifs dégressifs

Transistor FP101

9.80€ TTC

4 En stock

Transistor NPN FP101. SI-P+D 30V 2A 4p. SAmsING. Type de transistor. P. Vce maxi: 30 V. Courant de collecteur maxi: 2 A. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée.

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Tarifs dégressifs

Transistor FP1016

10.19€ TTC

22 En stock

Transistor PNP Darlington FP1016 (+diode). Tension collecteur-émetteur maxi: 160V. Courant de collecteur maxi: 8A. Boîtier: TO-3PF. Gain Hfe: 5000. Paire: FN1016. Fréquence maxi: 65MHz. Puissance: 70W

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Tarifs dégressifs

Transistor FP106TL

10.42€ TTC

1 En stock

Transistor NPN double. Boîtier: PCP4. Tension collecteur-émetteur maxi: 15V. Courant de collecteur maxi: 3A. Vce(sat): 0.25V. Gain Hfe mini: 100. Gain Hfe maxi: 280.

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Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N FP25R12W2T4

120.75€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 1200V 39A/50Ap 175W

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Tarifs dégressifs

Transistor FQA10N80C

13.44€ TTC

3 En stock

Transistor FQA10N80C-F109 N-MOS 800V 10A/40Ap.240W 0.93R(6.32A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQA13N50CF

4.65€ TTC

22 En stock

Transistor FQA13N50CF N-MOS 500V 15A/60Ap.218W 0.43R(9.5A). DMOS. FRFET. Fast switching. Low gate charge(typical 43nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQA13N80-F109

21.67€ TTC

32 En stock

Transistor FQA13N80-F109 N-MOS 800V 12.6A/50.4Ap. 300W 0.58R(8A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12.6 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQA19N60

17.14€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FQA19N60 N-MOS 600V 18.5A/74Ap. 300W 0.3R(11.7A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18.5 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQA24N50

21.67€ TTC

41 En stock

Transistor FQA24N50 N-MOS 500V 24A/96Ap. 290W 0.156R(12.5A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 90nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 24 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQA24N60

24.92€ TTC

19 En stock

Transistor FQA24N60 N-MOS 600V 23.5A/94Ap. 310W 0.18R(14.9A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 90nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23.5 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQA28N15

7.00€ TTC

310 En stock

Transistor FQA28N15 N-MOS 150V 33A/132Ap. 227W 0.067R(23.3A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 40nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor FJN3302R

Transistor NPN FJN3302R. SI-N+R 50V 0.1A Rb=10K Rbe=10K. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92. Ft: 250MHz. Cob: 3.7pF. Constructeur: Fairchild. SAMSUNG 0504-000117. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

Transistor FJP13007

Transistor FJP13007H1

Transistor FJP13007H2

Transistor FJP13009

Transistor NPN FJP13009 700/400V 12A/24App 100W 1.1uS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. High Voltage Fast-Switching. High-Sw 1.1uS. Constructeur: FAI. TO-220. VEBO: 9V. Tension collecteur/base maxi: 700 V

Transistor FJP13009H2

Transistor NPN FJP13009H2 700/400V 12A/24App 100W 1.1uS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. High Voltage Fast-Switching. High-Sw 1.1uS. Constructeur: FAI. TO-220. VEBO: 9V. Hfe:15-25. Tension collecteur/base maxi: 700 V

Transistor FMMT720

Transistor PNP FMMT720 40V 1.5A 625mW 190MHz CMS. Vce maxi: 40 V. Courant collecteur maxi: 1.5 A. Boîtier: CMS SOT-23. SWITCHING TRANSISTOR. Constructeur: DIODES INC.. Marquage CMS: 720.

Transistor FMY4T148

Transistor FMY4T148 N&P-MOS DUAL 60V 300mW CMS. *CMS SMT5*. Constructeur: ROHM. Marquage CMS:Y4

Transistor FN1016

Transistor NPN FN1016 DARL+D 160V 8A 70W 80MHz. Vce maxi: 160 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-3PF. hFE: 5000. Constructeur: SKN. Paire: FP1016. Fréquence maxi: 80 MHz. Darlington. Puissance: 70 W

Paire de transistors NPN-PNP FN1016-FP1016

Paire de transistors NPN-PNP. Darlington. Diode de roue-libre intégrée 160V 8A 70W. Paire complémentaire

Transistor FP101

Transistor NPN FP101. SI-P+D 30V 2A 4p. SAmsING. Type de transistor. P. Vce maxi: 30 V. Courant de collecteur maxi: 2 A. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée.

Transistor FP1016

Transistor PNP Darlington FP1016 (+diode). Tension collecteur-émetteur maxi: 160V. Courant de collecteur maxi: 8A. Boîtier: TO-3PF. Gain Hfe: 5000. Paire: FN1016. Fréquence maxi: 65MHz. Puissance: 70W

Transistor FP106TL

Transistor NPN double. Boîtier: PCP4. Tension collecteur-émetteur maxi: 15V. Courant de collecteur maxi: 3A. Vce(sat): 0.25V. Gain Hfe mini: 100. Gain Hfe maxi: 280.

Transistor IGBT canal-N FP25R12W2T4

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 1200V 39A/50Ap 175W

Transistor FQA10N80C

Transistor FQA10N80C-F109 N-MOS 800V 10A/40Ap.240W 0.93R(6.32A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A.

Transistor FQA13N50CF

Transistor FQA13N50CF N-MOS 500V 15A/60Ap.218W 0.43R(9.5A). DMOS. FRFET. Fast switching. Low gate charge(typical 43nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A.

Transistor FQA13N80-F109

Transistor FQA13N80-F109 N-MOS 800V 12.6A/50.4Ap. 300W 0.58R(8A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12.6 A.

Transistor FQA19N60

Transistor FQA19N60 N-MOS 600V 18.5A/74Ap. 300W 0.3R(11.7A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18.5 A.

Transistor FQA24N50

Transistor FQA24N50 N-MOS 500V 24A/96Ap. 290W 0.156R(12.5A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 90nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 24 A.

Transistor FQA24N60

Transistor FQA24N60 N-MOS 600V 23.5A/94Ap. 310W 0.18R(14.9A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 90nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23.5 A.

Transistor FQA28N15

Transistor FQA28N15 N-MOS 150V 33A/132Ap. 227W 0.067R(23.3A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 40nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A.

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